氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板的导热率区别在哪里？

    氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板是陶瓷基板中两周不同板料的陶瓷板，氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板因板材的不同，应用领域有所不同，工艺要求也会不一样，那么最终决定他们的区别是导热系数。

    氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板的导热率：

    导热率：同为陶瓷电路板，但是有很大的区别，氧化铝的导热率差不多在15~35W/(m·K)左右，氮化铝的导热率可以在170W以上，是氧化铝陶瓷基板散热5倍。

    热膨胀系数：

    氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化铝陶瓷电路板也是不同的，氮化铝陶瓷基板的热膨胀系数低于氧化铝陶瓷基板。氧化铝陶瓷基板的热膨胀系数是6.8~7.8，氮化铝陶瓷基板的热膨胀系数是4.6~5.2.导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数，相信大家已经能够比较直观看出氮化铝陶瓷电路板的优势，其实不光光是只是这两点，氮化铝陶瓷电路板可以将陶瓷电路板的易碎缺点降到最低，氮化铝陶瓷电路板的硬度会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多。


    氮化铝陶瓷基板的导热系数更高，热膨胀系数更低。在大功率LED照明、功率模块，制冷片等方面多使用氮化铝陶瓷基板。氧化铝陶瓷基板在汽车电子配件，传感器等多使用氧化铝陶瓷基板。

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